Infineon BSM35GD120DN2E3224 — купить, цена, наличие

MPN BSM35GD120DN2E3224 · Infineon
Наименование:Infineon BSM35GD120DN2E3224
Производитель:Infineon
Категория:БТИЗ
Артикул:005446
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Средняя цена за 1000 шт

IGBT POWER MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

КорпусModule
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.2 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)1.2 kV
Высота17 mm
Дата выпуска1996-01-01
Длина107.5 mm
Статус жизненного циклаСнят с производства
Дата последней закупки (LTB)2023-10-15
Дата последней поставки (LTD)2024-04-15
Макс. ток коллектора50 A
Макс. рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность280 W
Мин. рабочая температура-40 °C
Тип монтажаScrew
Число элементов6
Число выводов17
Число выводов17
Рассеиваемая мощность280 W
Радиационная стойкостьНет
RoHSСоответствует
Ширина45 mm
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.