БТИЗ — купить со склада и под заказ
Категория
В каталоге ЭЛ-СИРИУС — 14 наименований категории «БТИЗ» от ведущих производителей. Проверка наличия и цены онлайн по партномеру (MPN), поставка со склада и под заказ, доставка по России и СНГ. Работаем с юридическими лицами и частными покупателями.
| Партномер (MPN) | Наименование | Описание |
|---|---|---|
| CM1000DUC-34SA | CM1000DUC-34SA | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000A I(C), 1700V V(BR)CES |
| FGH60N60SMD | FGH60N60SMD | FGH60N60SMD Series 600 V 60 A Through Hole Field Stop IGBT - TO-247-3 |
| IKA10N65ET6-VB | IKA10N65ET6-VB | TSMC wafer, JCET (Jiangsu Changjiang Electronics Technology)。TO220F; IGBT+FRD; VCE=600/650V; ICE=10A; VCEsat... |
| IKW40N120H3FKSA1 | IKW40N120H3FKSA1 | IGBT 1200V 80A 483W TO247-3 IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1 |
| BSM15GD120DN2E3224 | Infineon BSM15GD120DN2E3224 | Igbt, Six-pack, 1200V, 15A, Shortpin |
| BSM15GD120DN2E3224BDLA1 | Infineon BSM15GD120DN2E3224BDLA1 | Igbt Module 1200V |
| BSM15GD120DN2E3224BPSA1 | Infineon BSM15GD120DN2E3224BPSA1 | Transistor IGBT Module N-CH 1200V 25A 20V Screw Mount T/R |
| BSM35GD120DN2E3224 | Infineon BSM35GD120DN2E3224 | IGBT POWER MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| BSM35GD120DN2E3224BPSA1 | Infineon BSM35GD120DN2E3224BPSA1 | Transistor IGBT Module N-CH 1200V 50A 20V Screw Mount Tray |
| IGW25T120FKSA1 | Infineon IGW25T120FKSA1 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
| IRG4PC50UDPBF | Infineon IRG4PC50UDPBF | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
| CM1000DU-34NF | Powerex CM1000DU-34NF | Igbt Mod Dual 1700V 1000A Nf Ser |
| STGWA25IH135DF2 | STGWA25IH135DF2 | IGBT Transistors Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series |
| STGW20NC60VD | STMicroelectronics STGW20NC60VD | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
О категории «БТИЗ»
БТИЗ (IGBT) Infineon, STMicroelectronics и Powerex — 17 позиций: дискретные транзисторы 600–1200 В в TO-247, сдвоенные и шестиключевые модули для приводов, быстрые серии для сварочных инверторов.
IGBT сочетает простое управление затвором с большими токами: стандарт силовой электроники от киловатта. Ключевые параметры — напряжение насыщения Vce(sat), энергия переключения Eon/Eoff и наличие встроенного антипараллельного диода. Драйверы затворов с изоляцией — в соседней категории, подберём пару к вашему модулю.